Государственный реестр средств измерений

Установка для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XP, 83973-21

Установка для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XP (далее по тексту - установка) предназначена для автоматизированного измерений толщин полупрозрачных пленок (полупроводниковые, диэлектрические, электрооптические, SOI или SOS материалы; оптические антиотражающие покрытия; тонкие металлы; материалы планарных волноводов; стекло с покрытием) на пластинах диаметром 200 мм.
Карточка СИ
Номер в госреестре 83973-21
Наименование СИ Установка для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев
Обозначение типа СИ Opti Probe 7341 XP
Изготовитель KLA Tencor, США
Год регистрации 2021
МПИ (интервал между поверками) 1 год
Описание типа скачать
Методика поверки скачать

Назначение

Установка для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XP (далее по тексту - установка) предназначена для автоматизированного измерений толщин полупрозрачных пленок (полупроводниковые, диэлектрические, электрооптические, SOI или SOS материалы; оптические антиотражающие покрытия; тонкие металлы; материалы планарных волноводов; стекло с покрытием) на пластинах диаметром 200 мм.

Описание

Принцип действия установки основан на реализации нескольких оптических методов измерений толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев:

BPR- Beam Profile Reflectometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения интенсивности света, отраженного от пластины с пленкой, как функцию от угла падения света на пластину и от длины волны света. Для освещения пластины используется микрообъектив, который формирует конус лучей, зондирующих пластину с пленкой под различными углами в широком диапазоне, более 60°. Размер области зондирования варьируется от 10*10 до 50*50 мкм2.

BPE- Beam Profile Ellipsometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения отношения амплитуд для р- и ^-компонент поляризованного света, отраженного от пластины с пленкой, как функцию от угла падения света на пластину. Также как в методе BRP для освещения пластины используется микрообъектив, который формирует конус лучей, зондирующих пластину с пленкой под различными углами.

VAS- Visible Array Spectrometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения интенсивности света, отраженного от пластины с пленкой, как функцию длины волны света в видимом диапазоне длин волн (от 400 до 780 нм). Из -за интерференции света, возникающей при многократном отражении света от пластины и пленки, интенсивность отраженного света будет зависеть от его длины волны и от толщины пленки. Используется для измерений толщин толстых пленок и пленок с большим коэффициентом преломления. Он также используется совместно с BPR, как вспомогательный метод. Для проведения измерений толщины используется микрообъектив для уменьшения области зондирования пластины.

BB- Broadband Spectrometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения интенсивности света, отраженного от пластины с пленкой, как функцию длины волны света в широком диапазоне длин волн от 190 до 780 нм. Также как в методе VAS из -за интерференции света, возникающей при многократном отражении света от пластины и пленки, интенсивность отраженного света будет зависеть от его длины волны и от толщины пленки. Для проведения измерений толщины используется микрообъектив для уменьшения области зондирования пластины.

SE- Spectroscopic Ellipsometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения отношения амплитуд для р- и s-компонент поляризованного света, отраженного от пластины с пленкой, для излучения разной длины волны из диапазона от 190 до 840 нм. Для уменьшения области зондирования до 50*50 мкм2 используются микрообъективы в осветительном и приемном плечах прибора;

AE- Absolute Ellipsometry. В этом методе проводят измерения толщин при помощи определения отношения амплитуд для р- и s-компонент поляризованного света, отраженного от пластины с пленкой, но на одной длине волны He-Ne лазера 632,8 нм. Угол падения света на образец составляет 65°. Для уменьшения области зондирования до 50*50 мкм2 используется микрообъективы в осветительном и приемном плечах прибора. Используется для измерения толщины тонких слоев, вплоть до толщин естественного окисла.

Установка состоит из измерительного модуля и SMIF-загрузчика для автоматического размещения измеряемых образцов пленок в измерительном модуле, микрообъективов.

Для предотвращения несанкционированного вмешательства в конструкцию изделия, установка пломбируется.

Общий вид, схема маркировки и схема пломбирования от несанкционированного доступа установки представлены на рисунках 1 и 2.

На установке имеется шильдик с указанием наименования прибора, страны изготовителя, заводского номера и года выпуска прибора. Шильдик находится на задней части установки. Знак утверждения типа наносится на корпус прибора методом наклеивания.

а)

f-----

! щт

! В

1

тшшш

V-ч

|(JT <J|

б)

Рисунок 2 - а) общий вид, схема пломбирования от несанкционированного доступа

б) вид сверху, схема маркировки

Программное обеспечение

Управление процессом измерения в установке осуществляется с помощью специального программного обеспечения TFMS-XP. Программное обеспечение служит для настройки установки, проведения измерений, анализа и обработки полученных данных.

ПО имеет пользовательский интерфейс, ввод данных производится с помощью клавиатуры и мыши на стойке установки.

Программное обеспечение (ПО) имеет следующие идентификационные данные: Таблица 1

Идентификационные данные (признаки)

Значение

Идентификационное наименование ПО

TFMS-XP

Номер версии (идентификационный номер) ПО

не ниже V3.2R1 SR-2 HF20

Цифровой идентификатор ПО (контрольная сумма исполняемого кода)

-

Программное обеспечение устанавливается в определенную директорию жесткого диска персонального компьютера. Несанкционированный доступ к программному обеспечению исключён посредством ограничения прав учетной записи пользователя, а также наличием пароля.

Установка обновленных версий ПО допускается только представителями предприятия

- изготовителя с помощью специального оборудования.

Уровень защиты программного обеспечения «высокий» в соответствии с Р 50.2.077-2014.

Технические характеристики

Таблица 2 - Метрологические характеристики

Наименование характеристики

Значение

Диапазон измерений толщины, нм

от 20 до 800

Пределы допускаемой абсолютной погрешности измерений толщины, нм:

-    в диапазоне от 20 до 300 включ. нм;

-    в диапазоне св. 300 до 800 включ. нм.

±2

±3

Таблица 3 - Основные технические характеристики

Наименование характеристики

Значение

Диапазон показаний толщины, нм

от 1 до 5000

Спектральный диапазон длин волн, нм

от 190 до 840

Пределы допускаемой случайной составляющей погрешности показаний толщины (Р=0,99) для однородных слоев на Si, нм:

-    в диапазоне от 1 до 10 нм включ.

-    в диапазоне св. 10 до 50 нм включ.

-    в диапазоне св. 50 до 500 нм включ.

0,02

0,03

0,05

Параметры электрической сети:

-    напряжение, В

-    частота, Г ц

220±10

50±5

Мощность, В-А

4900

Г абаритные размеры, мм, не более

1420*1670*1790

Масса, кг, не более

1240

Условия эксплуатации:

-    температура окружающей среды, °С

-    относительная влажность воздуха, %, не более

-    атмосферное давление, кПа

от +18 до +24 от 30 до 70 от 96 до 104

Знак утверждения типа

наносится типографским способом на титульный лист Руководства по эксплуатации и на корпус прибора методом наклеивания.

Таблица 4

Наименование

Обозначение

Количество, шт.

Установка контроля толщины

заводской номер 734224

диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XP

1 шт.

Кремниевые пластины диаметром 200 мм с

SiO2 толщиной пленки, нм:

- 20;

-

1 шт.

- 300;

1 шт.

- 800.

1 шт.

SMIF-контейнер М200 - Е011

-

1 шт.

Кассета КА198 - 80МВ - 47С02

-

1 шт.

Руководство по эксплуатации

-

1 экз.

Сведения о методах измерений

приведены в руководстве по эксплуатации «Установка контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti-Probe 7341 XP» п. 7

Нормативные документы, устанавливающие требования к установке для контроля толщины диэлектрических и полупроводниковых слоев Opti Probe 7341 XP

Локальная поверочная схема средств измерений толщины покрытий в диапазоне значений от 1 до 1000 нм, утвержденная ФГУП «ВНИИОФИ» 08.08.2019

Зарегистрировано поверок 1
Поверителей 1
Актуальность данных 06.12.2024
83973-21
Номер в ГРСИ РФ:
83973-21
Производитель / заявитель:
KLA Tencor, США
Год регистрации:
2021
Похожие СИ
94992-25
94992-25
2025
Общество с ограниченной ответственностью Производственно-монтажная компания "Практик" (ООО ПМК "Практик"), г. Москва
Срок действия реестра: 27.03.2030
94993-25
94993-25
2025
Jiangsu Pinyan Photoelectric Technology Co., Ltd., Китай
Срок действия реестра: 27.03.2030
94997-25
94997-25
2025
"Beijing Beifen-Ruili Analytical Instrument (Group) Co., Ltd.", Китай
Срок действия реестра: 27.03.2030
95001-25
95001-25
2025
Shanghai Wusong Electric Industrial Co., Ltd, Китай
Срок действия реестра: 27.03.2030
95002-25
95002-25
2025
Shanghai Wusong Electric Industrial Co., Ltd, Китай
Срок действия реестра: 27.03.2030
95003-25
95003-25
2025
Fujian Lilliput Optoelectronics Technology Co., Ltd., КНР
Срок действия реестра: 27.03.2030
95005-25
95005-25
2025
Общество с ограниченной ответственностью "СервисСофт Инжиниринг" (ООО "СервисСофт Инжиниринг"), г. Москва
Срок действия реестра: 27.03.2030
95006-25
95006-25
2025
Общество с ограниченной ответственностью "ЮМССОФТ" (ООО "ЮМССОФТ"), г. Томск
Срок действия реестра: 27.03.2030
79207-25
79207-25
2025
Закрытое акционерное общество "Мехатроника" (ЗАО "Мехатроника"), Республика Беларусь
Срок действия реестра: 05.12.2029
94967-25
94967-25
2025
Общество с ограниченной ответственностью "Золотой Век" (ООО "Золотой Век"), г. Екатеринбург
Срок действия реестра: 21.03.2030